碳纳米管优势 电子迁移率高于硅10倍 可制备更小的晶体管 具有更好的导热性 可实现柔性电子 技术挑战 材料纯度:金属性CNT会短路器件 阵列排列:需要整齐排列半导体性CNT 接触电阻:金属-半导体接触电阻高 工艺兼容性:与传统CMOS工艺不兼容 产业进展 MIT已展示碳纳米管RISC-V处理器 台积电、英特尔等都在研发相关技术 预计2030年后可能进入量产