ReRAM工作原理 利用介质材料的电阻可翻转特性,通过电压控制存储单元在高阻/低阻态之间切换。 技术优势 低功耗:写入能耗极低 高密度:可3D堆叠 速度快:写入速度接近DRAM 存算一体:天然支持存内计算 主要玩家 Crossbar:ReRAM技术先驱 富士通:已量产ReRAM MCU 昕原半导体:国内ReRAM领军者 兆易创新:ReRAM产品线规划中